请教一下各位老师,反激同步整流是否可以直接用初级侧控制芯片的PWM驱动信号,经过隔离和反向后驱动副边MOS管。我现在做了一款100W的反激,用初级侧控制芯片驱动,经过数字隔离芯片隔离反向后驱动输出MOS,死区时间也调了,遇到的问题是电源工作在CCM模式时没有问题,进入DCM模式后就会震荡,空载振荡最严重,电压环路和电流环路都调整了也没有多大效果,空载损耗有10W左右。麻烦老师们帮忙分析一下,谢谢!
DCM模式下还用互补的方式驱动的话,输出就会倒灌。一般同步整流芯片,会检测MOS两端电压,低于某个值时就要关闭驱动了。
厉害
QDCM冲击大
学习了