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问     我最近在调试读写EDO-RAM，看是否能成功的写入和读出，结果遇到了一些问题，百思不得其解，还望各位高手能指点指点！！！万分感激！！
   当我向EDO-RAM中几个连续单元写入以下数据时：
      eb
      99
      23
      34
      45
      56
      61
  为什么读出的时以下数据

     0
     99
     eb
     34
     23
     56
     45
这几个单元之后的三个没有写过的连续单元的内容为：
     0
     61
     0


感觉上以上数据还时有一些规律的，奇数单元的内容都往下移了两个单元。
实在时弄不明白，还望各位高手指教，谢谢！！ 答 1: 补充一点   当进行16位的读写时，读得的都是下一个16位单元的内容
答 2: 看不懂唉！看不懂唉！ 答 3: 经过几天的查找！更准确地错误是这样的：       经过几天的查找！更准确地错误是这样的：
    小弟现在是用s1d13505与44b0接口，而s1d13505本身要外扩EDO-DRAM来做显存地。通过44b0可以对s1d13505的寄存器进行读写。寄存器应该是设置正确的（DEO-DRAM的管理寄存器也只有那几个，而且小弟是用13505cfg设置的）。但是就在小弟对显存（EDO-DRAM）进行读写时，出现了问题，写是可以写进去的，但读出的内容都是上一个读周期的数据，而下一个读周期读出的是这个读周期读出地数据
   即，如果有3个读周期本来理论上读出的是
     1234
     5678
     9123

但真实的读出为
     0
     1234
     5678
   反正无论怎么样读出地数据都是滞后一个读周期的。
   我猜想应该是时序问题，但s1d13505上对时序的设置就两个。

实在是搞不明白，已经一个多星期了，还望用过EDO-RAM的高手指点指点，万分感激！！！！