EEPW论坛

前几天问了没有结果，只好自己查了，现在贴出来，或许还有人用得到 ^_^ 器件操作 (1)读操作 读操作访问就像使用静态RAM一样，当CE和OE为低电平，WE为高电平，由地址引脚上 电平决定的存储单元中的存储的数据就被读出。无论何时CE或OE为高电平时，输出引脚上 都 呈高阻状态。这种双信号控制机制给设计者防止总线冲突带来灵活性。 (2)后备状态 CE信号是芯片选择控制信号，实际上同时也作为电源控制信号。当其为高电平时，芯 片就 进入低功耗后备状态。这时芯片输出呈高阻状态，并与OE信号无关。 (3)数据保护 为了确保数据的完整性和安全性，持别是在上电和掉电过渡过程中，可以用以下方法 实现 数据保护： ①利用内部检测电路对电源电压Vcc进行检测，当检测到的电压低于规定的阂值时，就 禁止内部非易失性编程操作的初姑化。当达到阂值电压时，芯片在允许字节写入之前将自 动输 出5阳的定时脉冲。 ②片内有一个丽信号滤波电路，可以防止而信号负脉冲从初姑化到写入周期所持续 的时间小于10ns。 ②在上电和掉电期间，通过保持WE或CE为高电平，或者OE为低电乎都可以封锁字节写 入周期。 (4)写操作 把数据写入芯片类似于静态RAM的操作，当OE为高电平、WE或CE为低电平时，相对应 的CE或WE信号为低电平，就对字节写入操作进行韧始化。在后出现信号CE或WE的下降沿地 址信息被锁存，上升沿锁存新的数据和控制信号(CE和OE)。在内部写入之前芯片会自动擦 除，如果字节写操作已经开始，芯片会启动内部自定时完成。一旦编程操作被初始化后， 在twc 期间，执行读操作即为查询操作。 (5)并行接口EEPROM整片擦除的方法 有的EEPRoM芯片(例如MicrocLhlP公司的芯片)有整片摈除功能，即把所有恢都清除 成"1"。方法是在OE端加上12v电压，同时使CE和WE都为低电平，就可清除所有的数据。 (5)DATA查询 芯片可以提供DATA查询位作为写入周期完成的信号。在写入周期过程中，可以通过不断 对I／O7位(I／O0—I／O6的输出是不确定的)不断读出以判断内部编程是否结束，只有当写 入周 期完成，其输出的数据就是真正写入的数据。利用这个功能可以通过简单地读／比较操作 来确 定芯片的工作状态。 (6)芯片擦除 当在OE引脚上施加12v高压的情况下，同时CE和WE为低电平持续10 ms，芯片中所有 数据位都会被清除成全“1”。但是这个操作不能清除另外安排的32B的识别码。 (7)芯片识别 芯片还有额外的32B用于芯片识别。当在A9，引脚上施加12V(+-5V)时。对地址为 7E0H到7FFH的存储单元进行访问，可以写入或者读出这32个识别字节。 并行接口EEPROM的数据保护 使用取EPRoM器件最关心的问题是数据的安全性。在不采取任何预防措施的情况下，待 别是在系统上电和掉电时。很可能会发生意外的误写入。为了确保数据的安全性，很多 EEPROM芯片在内部硬件电路上考虑了保护措施，有部分型号的EEPRoM还增加了相应的 软件数据保护方法。 ①内部Vcc电压检测 利用片内电压检测电路对Vcc进行监测，当Vcc低于某一阀值时．便封锁内部编程电路。 不同厂家的电压阂值是不同的，例如Intel公司的典型阔值是3v，Mcrochlp公司的闭值是 3.3v，Atmel公司的典型阂值是3.8v。 ②写禁止数据保护 只要满足CE＝Vih或OE＝Vil，或WE＝Vih三个条件中的任意一个，就处于写禁止状态。 这种模式提供了最大限度的系统数据保护方案，特别是在上电和掉电时可以防止由于噪声 的 干扰而引起的意外误写。 ②WE滤波电路 利用滤波电路滤除进入WE引脚上的脉宽小于10 ns的干扰脉冲，以减少窄脉冲干扰引起 的误写入。例如Microchip公司的EEPRoM芯片有此数据保护功能。 ④工作电源Vcc上电延迟： Atmel公司的EEPROM具有此功能．即当电源电压Vcc达到其阂值3.8V时 入操作前，会自动延迟一段时间(典型值是5ms)起作用。 ③软件数据保护(SDP——SofWare Data Protection) 在Atmel公司新近推出的EEPRoM芯片(例如AT28C64B、AT28C256、AT28C010、 AT28c040等)中增加了此软件数据保护功能。用户可以通过发三个持定字节的写命令到三个 指定地址的单元中去，写入三个命令等待tWC时间后，这时整个芯片就处于写禁止状态，而 不会 被意外改写，如果需要改写EEPRoM的内容，可以再写一次同样的三个字节的写命令，就又 可以恢复进行字节或页写入操作。一旦设置了sDP功能，只要不取消，就会一直保持住，即 使 上电和掉电也不会影响它，所以这种芯片具有很好的上电和掉电数据保护功能。需要指出 ，其 所有的命令序列都必须服队页写入定时持性，而实际上设置或者取消sDP功能的命令并没有 真正写入器件的单元，那些地址单元仍然可以用字节方式或页方式写入用户的数据。 在设置sDP功能后。如果进行写入操作，照样可以启动内部的写操作定时，但是实际上 不会写入任何数据。在叭期间．读操作是有效的软件访问查询核对(Polling)操作。 2864特点简介 2864(A)／28C64是一种采用NMos／CMOS工艺制成的8K×8位28引脚的可用电接除 可编程只读存储器。 其读写像SRAM操作一样，不需要外加任何元器件。读访问BtI司可为45ns一450 ns，在 写 入之前自动擦除。有部分芯片具有两种写入方式，一种是像28(c)17一样的字节写入方式． 还 有另一种页写入方式。允许在一个写周期内同时对1个字节到一页的若干字节进行编程写入 ． 一页的大小取决于芯片内页寄存器的大小。Intel公司早期的2864A的页寄存器为16B，而 HIta小i公司的HN58C65页寄存器为32B，At毗1公司近期的AT28C64的页寄存器为64B。 目前一般一个字节的接除和写访问时间为200哗或1M，而最大页写入周期(包括擦除和写 入)时间不超过10 ms，典型的擦除州司为5M。 采用单一电源十5v士o.1V，低功耗工作电流30 mA，备用状态时只有100PA 出，与TTL电平兼容。 一般商业品工作温度范围为0℃——+70℃，工业品为-40℃——+85℃。 28c64和2864(A)根据不同厂家的产品，有的增加了一种检测写周期结束的方法．利用 增 加的引脚RDY／BUSY来表示写操作什么时候完成。当写操作开始后，RDY／BUSY输出为低 电平，这时数据输出线呈高阻状态，其目的是由于写操作时间相对很长、利用这段时间微 处理 器可以处理其他任务。当写操作结束时*RDY店面万输出高电平，指示微处理器可以进行新 的 读写访问。增加RDY屑百万输出信号线后，可以简化写操作结束检测的设计，否则需要采用 硬件定时逻辑或软件延时循环来实现此功能。 AT28C64B是AT28C64的改进型芯片，它比AT28C64增加了页面写入功能、硬件和软 件数据保护功能。 2864(A)是In舵1或Seeq公司的NM帕产品，与其兼容的芯片型号有Am2864B1 Am9864、口E64K8、Xt2864A、x2864A等。AT28C64是At毗[公司的CMOS产品．与其兼容 的芯片型号有Microchip公司的28C64A、Seeq公司的28C64、C则aly引公司的CA丁28C641 Httachi公司的HN58C65、EXEL公司的xLS48C64和XL28C64A、FM；?sM公司的 MBM28C64、0ki公司的MSM28C64、NEC公司的yPD28C64C等。AtmeE公司的A丁28HC64 (B)是高速芯片(读访问时间为55ns)。 AT28LV64是3V工作电压芯片，AT28LV64B则是3V工作电压且带有数据保护功能的 芯片。 AT28C64B是AT28C64的改进型芯片，它比AT28C64增加了页面写入功能、硬件和软 件数据保护功能。