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　　电子发烧友网核心提示：什么是F-RAM？F-RAM：铁电随机存储器。

　　相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点：在掉电的情况下会失去所保存的数据。

　　
图1： PZT 晶体结构

　　F- RAM芯片包含一个锆钛酸铅［Pb（Zr，Ti）O3］的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（图1）。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。

　　F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。

　　
图 2： 写入速度比较

　　*在 25 MHz频率下，F-RAM 写入速度比EEPROM器件快488 倍。

　　F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10，000倍的耐性，低于3，000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。