CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。
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为什么要选择400V SiC MOSFET？
了解英飞凌400V CoolSiC™ MOSFET
‒ 与650V SiC MOSFET相比，FOM更好 ‒ 低Qfr值的快速换流二极管 ‒ RDS(on)温度系数小 ‒ 栅极阈值电压VGS(th)=4.5V
‒ 可以单电源驱动VGSoff=0V ‒ 100%经过雪崩测试 ‒ 开关速度可控性高
‒ 高dV/dt运行期间的低过冲 ‒ .XT互联技术 ‒ 一流的热性能
可选择的英飞凌400V CoolSiC™ MOSFET第二代器件
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