SK 海力士加大环保投入，在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮

7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F2）。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3的 GWP 为 17200，而 F2为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。