存储大厂：CXL内存将于下半年爆发？

据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。

除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模块，以及将DRAM内存与NAND闪存颗粒相结合的CMM-H混合存储模块。

Choi Jang-seok强调，随着CXL3.1技术的采用，CXL内存资源可以在多个主机之间共享，预计CXL市场将在今年下半年蓬勃发展，在2028年左右实现显着增长。

崔章锡还透露，三星正在内部研究一款名为CMM-DC的新产品。这款产品将以CMM-D模块为基础，提供计算能力。

此外，三星即将推出的CMM-D2.0内存模块遵循CXL2.0协议，该协议是增强数据中心互连性和效率的标准。这些模块采用1ynm工艺DRAM颗粒，代表20-10nm级别的第二代DRAM技术。该技术能够生产提供更高容量同时保持性能效率的内存模块。

报道指出，CMM-DC产品的内部研究表明了未来的发展方向，三星的目标是将计算能力与CXL内存模块相结合。内存和计算功能的融合可以为更高效、更强大的数据处理架构铺平道路。

据业界信息，CXL全称ComputeExpressLink，是一个全新的得到业界认同的互联技术标准，其可以有效解决内存墙和IO墙的瓶颈。PCI-e技术是CXL技术的底层基础，CXL则可视为PCI-e技术的再提高版本，并且，CXL延伸了更多变革性的功能。

目前，CXL已经发表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五个不同的版本，CXL2.0内存的池化（Pooling）功能较好的实现了以内存为中心的构想；CXL3.0则实现Memorysharing（内存共享）和内存访问，在硬件上实现了多机共同访问同样内存地址的能力；CXL3.1，则具备开启更多对等通信通道的能力，实现了对内存和存储的独立分离，形成独立的模块，并且新规范将支持目前仍在研发中的DDR6内存。

2021年5月，三星开发出全球首款基于CXL的DRAM技术；2022年推出业界首款高容量512GB CXL DRAM；2023年5月开发出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM；2024年第二季度推出支持CXL 2.0的256GB CMM-D产品，并正在与主要客户进行验证。

目前，除了三星，其他两位大厂也在布局该技术。美光在2023年8月推出了其 CXL 2.0 内存模块；SK海力士在2023年10月展示了其CXL产品，包括基于CXL的计算内存解决方案 (CMS) 2.0，使用近内存处理 (NMP) 架构来解决 CPU 内存瓶颈问题并提高处理性能。