M31Ｘ高塔半导体 65纳米内存方案问世

全球领先的硅智财供货商M31宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）达成重要合作里程碑。双方连手成功开发出65纳米制程的SRAM（静态随机存取内存）和ROM（只读存储器）IP产品，并已将设计模块交付客户端完成验证，为半导体产业带来全新的先进内存解决方案。

M31与高塔半导体共同优化的设计架构，巧妙结合低功耗组件Analog FET（模拟场效晶体管），不仅能够完美满足当前SoC芯片对低功耗的严格要求，更为未来物联网（IoT）、智能型穿戴装置、车联网（V2X）以及人工智能（AI）等新兴应用领域提供了关键技术支持。

为了进一步提升产品的灵活性与适用性，M31特别在此IP中提供了多组Deep NWell电压组合（0～8V、8～16V、16～24V），让客户能够更加灵活地与其他外部IC进行整合。值得一提的是，M31的研发团队在追求低功耗的同时，也成功克服了诸多设计挑战，实现了速度性能的显着提升，为客户带来效能优化的双赢方案。

M31研发副总连南钧表示，与高塔半导体这样的业界翘楚携手合作，共同加速产品研发进程，为客户提供更加优质、创新的半导体解决方案。

在此次合作中，M31特别专注于模拟IC和低功耗组件的技术整合，不仅展现了高度的协同效应，更能有效协助客户在日益复杂的SoC芯片架构中，实现性能和功能的全面优化。这次的成功合作再次证明了M31在全球晶圆厂供应链中的重要地位和多元化发展战略。