谷歌Tensor G5芯片或已进入流片阶段，基于台积电3nm制程

据台媒报道，最新消息称预计用于谷歌明年旗舰智能手机的Tensor G5芯片将基于台积电3nm制程，目前已成功进入流片阶段。

据了解，谷歌Tensor G5芯片代号为Laguna Beach“拉古纳海滩”，该芯片采用台积电InFo_PoP晶圆级扇出封装技术，实现SoC和DRAM的堆叠，支持16GB以上内存。这种封装技术能有效提升芯片的性能，并减小其物理尺寸，为谷歌Pixel设备带来更强大的性能和更紧凑的设计。

此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本，并由三星代工生产。而Tensor G5的全自研，意味着谷歌将能够实现对Pixel设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控。这种深度整合的软硬件设计，将有助于谷歌更快地将AI应用部署在自家设备上，从而打造差异化产品，提升市场竞争力。