铠侠公布蓝图：2027年实现1000层3D NAND堆叠

近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。

铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。

而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031年间推出1000层的3D NAND闪存芯片。

铠侠是全球知名的存储芯片厂商，不过为应对需求低迷的市场环境，2022年10月，铠侠宣布将调整四日市和北上市NAND Flash晶圆厂的生产，将晶圆生产量减少约30%。

最新消息是，铠侠已结束了为期20个月的减产动作，并将上述两座NAND Flash工厂的产线开工率提升至100%。此外，随着业务好转，债权银行已同意为6月份到期的5,400亿日元贷款进行再融资。他们还将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。

除了公布最新3D NAND闪存发展蓝图外，铠侠的IPO计划似乎也迎来了新的进展。

据媒体援引两位知情人士的消息报道，铠侠计划在未来几天提交一份在东京证交所上市的初步申请。知情人士称，这家芯片制造商计划在8月提交一份完整的申请，并预计于10月底上市，不过上市时间有可能会推迟到12月。