ST：2025年碳化硅将全面升级为8英寸

6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。

意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：“目前，生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。”

随着晶圆尺寸的增加，每片可以生产更多的芯片，每颗芯片的生产成本降低。SiC晶圆正在从6英寸逐步转变到8英寸。

意法半导体计划明年第三季度在意大利卡塔尼亚的SiC晶圆厂过渡到8英寸，随后在新加坡的晶圆厂也将过渡到8英寸。与三安光电合资的中国工厂预计将于同年第四季度开始生产8英寸SiC晶圆。

目前，SiC功率半导体供不应求，价格居高不下，但预计这种情况将趋于稳定。

Muzeri说：“现在销售的产品是来自两年多前的订单，价格很高，但2027年之后的报价比现在的低15~20%，SiC半导体已经在一定程度上定价了。”

至于对全球电动汽车市场增长停滞的担忧，他表示没有大的影响。他说，欧洲、美国和韩国等一些增长最快的国家增长放缓，暂时降低了需求，但并未造成半导体需求的大幅下降。

Muzeri表示：“汽车生产用半导体的数量有所增加，对SiC功率半导体的需求仍然强劲。就电动汽车而言，使用SiC功率半导体时，行驶里程可以增加18~20%，预计未来汽车的采用率将从目前的15%提高到60%。”