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英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,适用于高成本效益的先进电源应用

作者: 时间:2024-06-27 来源:EEPW 收藏

科技股份公司近日推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结实现了具有高成本效益的硅基解决方案,丰富了的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管,适用于服务器和工业开关模式电源装置(SMPS)、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。

本文引用地址://www.cazqn.com/article/202406/460395.htm

这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封装,不仅简化了设计,还降低了组装成本。在10 V电压下,600 V CoolMOS™ 8 MOSFET的栅极电荷(Qg)较CFD7降低了18%,较 P7降低了33%。在400 V电压下,该产品系列的输出电容COSS较CFD7和P7降低了50%,关断损耗(Eoss) 较CFD7和P7降低了 12%,反向恢复电荷(Qrr)较CFD7降低了3%。此外,这些器件的反向恢复时间(trr)更短,热性能较上一代产品提高了14%至42%。

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600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC

凭借这些特性,该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。由于优化了RDS(on),这些半导体器件拥有更高的功率密度,能使采用硅基超级结()技术的产品降低到7 mΩ的个位数值。

供货情况

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品现已推出。



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