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瞻芯电子:第三代SiC MOSFET通过车规认证

作者: 时间:2024-06-26 来源:全球半导体观察 收藏

6月23日,宣布,公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ 产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时,第三代1200V 工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级晶圆厂推出更多第三代SiC 产品。

本文引用地址://www.cazqn.com/article/202406/460342.htm

成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。

瞻芯电子表示,第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET已经开发出三款产品,主要用于车载电驱动系统,并且已获得多家车载电驱动客户的项目定点。




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