Intel 3 “3nm 级”工艺技术正在大批量生产

英特尔周三表示，其名为Intel 3的3nm级工艺技术已在两个工厂进入大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的电压，适用于超高性能应用。该节点针对的是英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内发展。

英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示：“我们的英特尔3正在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进行大批量生产，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'处理器。

英特尔 3 制程技术（图片来源：英特尔）
英特尔一直将其英特尔 3 制造工艺定位为针对数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与英特尔 4 相比）、降低晶体管通孔电阻的供电电路以及设计协同优化来实现领先的性能。生产节点支持 <0.6V 低压和 >1.3V 高压，以实现最大负载。在性能方面，英特尔承诺，与英特尔 18 相比，新节点将在相同的功率和晶体管密度下实现 3% 的性能提升。


英特尔 3 制程技术（图片来源：英特尔）
为了获得性能和密度优势的最佳组合，芯片设计人员将不得不使用 240nm 高性能和 210nm 高密度库的组合。此外，英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择：14 层用于成本，18 层用于性能和成本之间的最佳平衡，以及 21 层金属层用于提高性能。

英特尔 3 制程技术（图片来源：英特尔）
目前，英特尔将使用其 3nm 级工艺技术使其至强 6 处理器成为数据中心。最终，英特尔晶圆代工厂将使用生产节点为其客户制造数据中心级处理器。

英特尔 3 制程技术（图片来源：英特尔）
除了基础英特尔 3 之外，该公司还将提供英特尔 3T，它支持硅通孔，可用作基础芯片。未来，英特尔将为芯片组和存储应用提供功能增强的英特尔 3-E，以及性能增强的英特尔 3-PT，可用于各种工作负载，如 AI/HPC 和通用 PC。