X-Fab增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体（CMOS）制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示，该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件，可提供可扩展的安全工作区（安全工作区）以提高运行稳健性。

这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低，与此前版本相比降低了50%。这种增强使该平台更适合用于某些需要缩小器件占用空间并优化单位成本的应用。

XP018平台是一个模块化的180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模计数5V单栅极核心模块。其支持-40°C至175°C的工作温度范围，并提供一系列丰富的可选器件和模块，包括高增益双极器件、标准和高电容金属/绝缘体/金属型（MIM）电容、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型器件。

该平台专为成本敏感且鲁棒的汽车、工业和医疗应用而设计。此外，该平台还借助高可靠性的汽车非易失性存储器（NVM）解决方案（如嵌入式闪存、可擦写可编程只读存储器（EEPROM）和开放式远程监控平台（OTP））进行了进一步强化。

除了新推出的高压器件外，该平台现在还包括5.3 V齐纳二极管，用于保护关键应用中的栅氧化物（如宽带隙栅极驱动器应用）。