近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增

随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。

SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。

中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。

与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪费。简单来说，8英寸衬底提供了更高的利用率，这是主要制造商积极开发它们的主要原因。

目前，6英寸SiC衬底仍然占主导地位，但8英寸衬底已经开始渗透市场。例如，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸晶圆厂已经开始向中国客户发货SiC MOSFETs，表明其批量发货8英寸SiC衬底。天科蓝也已经开始小规模发货8英寸衬底，并计划在2024年实现中等规模发货。

8英寸SiC衬底产品线的加速推进 自Wolfspeed于2015年首次展示样品以来，8英寸SiC衬底已经历了7-8年的发展历程，过去两年技术和产品开发显著加速。

除了已经实现大规模生产的Wolfspeed外，预计还有七家公司将在今年或未来1-2年实现8英寸SiC衬底的大规模生产。

在投资方面，Wolfspeed继续在美国北卡罗来纳州建设约翰·帕尔莫尔碳化硅制造中心（SiC衬底工厂）。这个设施将进一步推动衬底产能的扩张，以满足对8英寸晶圆日益增长的需求。

Coherent去年也宣布了扩大其8英寸衬底和外延片生产的计划，美国和瑞典的大规模扩建项目正在进行中。在产品出口渠道方面，Coherent已经从三菱电机和电装公司获得了10亿美元的投资，为两家公司提供长期的6/8英寸SiC衬底和外延片。欧洲的STMicroelectronics去年也投资于8英寸领域，与湖南三安半导体合作，在中国建立8英寸SiC晶圆厂。后者将建立一个8英寸SiC衬底工厂，为合资企业提供稳定的原材料供应。同时，ST正在开发自己的衬底，并曾与法国的Soitec合作实现8英寸SiC衬底的大规模生产。

就中国制造商而言，目前已有超过10家企业进入了8英寸SiC衬底的样品和小规模生产阶段。这些公司包括Semisic Crystal Co、Jingsheng Mechanical & Electrical Co、SICC Co、Summit Crystal Semiconductor Co、Synlight Semiconductor Co、TanKeBlue Semiconductor Co、Harbin KY Semiconductor、IV Semitec、Sanan Semiconductor、Hypersics和Yuehaijin Semiconductor Materials Co。

此外，许多其他中国制造商目前正在研究8英寸衬底，如GlobalWafers、Dongni Electronics、Hesheng Silicon Industry和Tiancheng Semiconductor。

目前，中国衬底制造商与国际巨头之间的差距已经显著缩小。诸如英飞凌之类的公司已经与中国制造商建立了长期合作关系，如SICC Co和天科蓝。从技术的角度来看，这种缩小的差距反映了全球衬底技术的整体改进。展望未来，预计各个制造商的共同努力将推动8英寸衬底技术的发展。

总的来说，8英寸SiC衬底的整体发展势头强劲，无论在数量还是质量上都取得了重大突破。

全球8英寸SiC晶圆厂加速扩张 随着衬底材料不断突破技术上的障碍，全球新的8英寸SiC晶圆厂数量的增加在2023年达到了新的高度。

根据TrendForce的数据，2023年共实施了大约12个与8英寸晶圆相关的扩建项目。其中，有八个由Wolfspeed、Onsemi、STMicroelectronics、Infineon、Rohm等全球制造商主导。STMicroelectronics还与三安半导体合作了一个项目。此外，还有三个项目由中国制造商领导，包括Global Power Technology、United Nova Technology Co和J2 Semiconductor。

从区域角度来看，预计欧洲、美国、日本、韩国、中国和东南亚等主要地区将进行重大投资，建设新的8英寸SiC晶圆厂。截至目前，全球约有11个8英寸晶圆厂正在建设或计划中。

这些项目涉及各种地点和利益相关者。例如，Wolfspeed在美国纽约州莫霍克和德国萨尔兰州各有两个设施，Bosch在美国罗斯维尔建设了一个，STMicroelectronics在意大利卡塔尼亚自建了一个，与三安半导体合资在中国重庆建设了一个，Infineon在马来西亚库林建设了一个，三菱电机在日本熊本建设了一个，罗姆在日本筑后和国富各建设了一个，ON Semiconductor在韩国富川建设了一个，富士电机在日本松本建设了一个。

关于制造商的扩展方向，Bosch和ON Semiconductor在2023年的投资直接针对汽车SiC市场。STMicroelectronics在意大利计划建设的8英寸SiC芯片工厂也面向电动汽车市场。尽管其他制造商尚未明确说明未来生产能力的目标应用，但电动汽车是SiC当前和未来的主要增长引擎，因此成为主要制造商扩展的焦点。

在电动汽车行业，800V高压平台已经成为明显的发展趋势。800V平台需要更高电压的功率半导体器件，促使制造商开始开发1200V SiC功率器件。

从成本的角度来看，尽管目前6英寸晶圆在短期内仍是主流，但向8英寸等更大尺寸的趋势是不可避免的，这是为了降低成本和提高效率。因此，预计电动汽车市场将持续推动对8英寸晶圆的需求增长。

从供应链的角度来看，转向8英寸晶圆对SiC制造商来说是一项重大突破。根据行业见解，6英寸SiC器件市场已经进入了竞争激烈的阶段，尤其是SiC结障碍二极管（JBD）。对于规模较小、竞争力较弱的企业来说，利润率越来越受到挤压，这表明未来可能会出现一轮整合和重组。