Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
本文引用地址：//www.cazqn.com/article/202402/455815.htm日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。
模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
器件规格表：
产品编号 | VCES | IC | VCE(ON) | Eoff | 速度 | 封装 |
@ IC和 +125 °C | ||||||
VS-GT100TS065S | 650 V | 100 A | 1.02 V | 6.5 mJ | DC~1 kHz | |
VS-GT150TS065S | 650 V | 150 A | 1.05 V | 10.3 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S | 650 V | 200 A | 1.07 V | 13.7 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N | 650 V | 100 A | 2.12 V | 1.0 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N | 650 V | 200 A | 2.13 V | 3.86 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为15周。
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