预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%，2027年将扩至33%

据TrendForce集邦咨询统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm及以上）及先进制程（16nm及以下）产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴，扩产进度最为积极，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%，其中以中芯国际（SMIC）、华虹集团（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）扩产最为积极。

扩产聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等特殊工艺

Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）特殊工艺，各家业者近期聚焦40/28nm HV制程开发，而目前市场制程技术较领先的业者是联电（UMC），其次是格芯（GlobalFoundries）。不过，中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后于今年第四季、明年下半年进入量产阶段，并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小，尤其制程能力与产能相当的竞争者如力积电（PSMC），或暂无十二英寸厂的世界先进（Vanguard）、东部高科（DBHitek）短期内将首当其冲；对联电、格芯中长期来看也将造成影响。

CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45/40nm为分水岭，逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展；CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者以台积电（TSMC）、联电、三星（Samsung）为主，但中芯国际、合肥晶合集成紧追其后，除持续追赶制程差距，产能也受惠中国智能手机品牌OPPO、Vivo、小米（Xiaomi）等支撑，加上陆系CIS业者OmniVision、Galaxycore与SmartSens响应政府政策，陆续将订单移回中国大陆进行投产支撑。

Power Discrete（功率元件）方面，主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进、HHGrace深耕Power Discrete制程已久，制程平台及车规验证覆盖完整性皆较其他同业更高。而受惠于大陆电动车补贴政策以及铺设太阳能相关基础建设，陆系晶圆代工业者据此获得更多切入机会，包含主流代工厂HHGrace、中芯国际、合肥晶合集成、CanSemi在内的业者，加上本土小型的Power Discrete IDM、晶圆厂如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete竞争行列。若大陆产能同时大量开出，将加剧全球Power Discrete代工竞争压力。

整体而言，中国大陆透过积极招揽海外及境内IC设计业者投产或研发新品，目的为提高本土化生产的比例，但大幅扩产的结果可能造成全球成熟制程产能过剩，且随之而来的将会是价格战。TrendForce集邦咨询认为，中国大陆成熟制程产能陆续开出，针对Driver IC、CIS/ISP与Power discrete等本土化生产趋势将日渐明确，具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工业者可能面临客户流失风险与价格压力，技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。