晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

　　晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启，不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启，也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要，小编根据所学及理解做如下总结，希望能给大家一些帮助。

一、晶闸管

　　1、别名：可控硅是一种大功率半导体器件，常用做交流开关，触发电流>50毫安

　　2、特点：体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率

　　3、主要应用领域：整流、逆变、变频、斩波（直流-直流）

二、MOS(MOSFET)管

　　1、作用：

　　MOS管多被用作电子开关，用在控制回路中控制负载的通断。栅极有电容效应，即使断开了电源，栅极上可能仍保持着电压。

　　2、特性：

　　MOSFET高输入阻抗、驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。N沟道开启电压一般在2~4V；P沟道开启电压一般在-2~-4V。

　　3、辨别NNOS、PMOS方法：

　　借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道；若情况相反是P沟道。

　　4、应用领域：

　　步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源、新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机、交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车、绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器。

三、IGBT

　　1、名称：绝缘栅双极型晶体管，是MOS管和三极管的结合体，主要作用是逆变和变频，俗称电力电子装置的“CPU”。

　　2、特点：兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低。呈7大特性：1、80%IGBT带阻尼二极管，且可以替代不带阻尼管使用；2、可以理解为大功率三极管和场效应管组成，但不能简单代替使用；3、检测方式可以是蜂鸣档，也可以是二极管档位；4、继承了场效应管的高阻抗和三极管的高反压的优点，耐电压、耐电流，低功耗；5、应用范围管：电流10-3300A、电压600-6500V、工作频率10-30Kh；6、可做高速开关使用；7、启动电压低3V左右，饱和导通电压较高为5-15V。

　　3、应用领域：非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　由于硬件条件不足、自身知识水平有限，可能有讲的不恰当之处，敬请各位多多指正！本人本着相互学习，共同进步的诚心，欢迎各位来电交流。