西数将量产162层闪存:一块晶圆容量100TB
西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。
本文引用地址://www.cazqn.com/article/202205/434148.htm目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层,美光日前更是宣布全球首个达到232层。
但是西数指出, 自家的162层闪存单元尺寸更小,只有68平方毫米 ,小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存储密度更高,可以提供和竞品相同的单芯片容量。
西数表示, BiCS6 162层堆叠下,一块晶圆就可以做到100TB容量,而目前只有大约70TB。
性能方面,西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元,性能可达 60MB/s ,比对手快了一半。
西数还预告了下下一代BiCS+闪存, 堆叠超过200层,预计可带来60%的传输速度提升、15%的编程带宽提升、55%的晶圆容量提升 ,然后继续一路堆叠, 2032年左右将超过500层!
另外,西数在PPT上海列出了PLC闪存,但没有任何细节消息。
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