东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。
本文引用地址：//www.cazqn.com/article/202005/413136.htmTPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2]，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损，有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗，同时还提供免维护功能。
通过提供增强功能（自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能）以支持车载ECU所需的高可靠性。这款新型IPD能够监控负载运行和与之连接的MOSFET。当运行发生异常时，它能迅速关断MOSFET[3]，以减少MOSFET上的负载。
TPD7107F采用了WSON10A[4]封装，并由于内置升压电路，可减少了电容器等外围器件的使用。这款新型IPD在待机状态下的耗电量仅为3μA（最大值）。
应用
车载设备：
● ECU（车身控制模块、接线盒等）
● 配电模块
● 半导体继电器
特性
● 通过AEC-Q100认证
● 能够根据负载电流，与低导通电阻N沟道MOSFET[2]搭配使用
● 内置升压电路，减少无源外围器件的使用
● 内置保护功能和诊断输出功能（电压异常、过流、过热、电源反接、接地端断路保护以及VDD负载线短路等）
主要规格
（除非另有说明，@Ta＝25℃）
器件型号 | TPD7107F | ||
封装 | WSON10A | ||
绝对最大 额定值 | 供电电压 VDD(1)（V） | -16至+26 | |
供电电压 VDD(2)（V） | @t≤400ms | -36至+36 | |
供电电压 VD(3)（V） | @t≤20ms | -40至+40 | |
输入电压 VIN(1)（V） | -16至+26 | ||
输入电压 VIN(2)（V） | @t≤400ms | -36至+36 | |
输入电压 VIN(3)（V） | @t≤20ms | -40至+40 | |
输出拉电流 IGATE(+)（mA） | 内部容量 | ||
输出灌电流 IGATE(－)（mA） | 5 | ||
功率损耗 PD（W） | 1.84 | ||
工作温度 Topr（℃） | -40至+125 | ||
工作范围 | 工作电源电压 VDD（V） | @Tj＝-40℃ 至 +125℃ | 5.75至26.00 |
TPD7107F产品示意图
注释：
[1]：IPD（智能功率器件）
[2]：兼容器件示例：TPHR7904PB（40V／150A）、TPH1R104PB（40V／120A）
[3]：高速断态电流（典型值：237mA）
[4]：WSON10A：3.0×3.0mm（典型值）
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