双开关T型并联谐振逆变器拓扑结构研究

摘要：为实现感应加热电源高频化、高效率化及高功率输出能力，提出了以MOSFET作为开关的T型并联谐振逆变器电路拓扑结构。它能够输出理想的正弦电压波形，开关元件工作在零电压开关(ZVS)状态，降低了开关损耗，提高了工作频率和效率。逆变器的ZVS工作状态不受负载影响，且工作状态稳定，易控制。详述了电路构成及工作原理，研究并分析了电流、电压的关系，最后给出了实验结果。
关键词：逆变器；并联谐振；感应加热

1 引言
由于感应加热的诸多优点，目前感应加热电源在高频焊管、金属表面热处理等高频条件下的应用日益广泛。为此，要求全固态感应加热电源具有高频化、高效率化和高功率输出能力的特点。
随着全控型电力电子器件技术水平的不断提高，目前适合于高频工作的功率MOSFET的电流指标已达几十安培以上，正向阻断电压也已达数百伏以上，工作频率可达数百千赫兹以上。同时由于功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数，可起到自动平衡并联MOSFET间漏极电流的作用，因此采取MOSFET并联方式能解决感应加热电源高频化和高功率输出能力的问题。此外感应加热电源逆变器的电路拓扑结构优化和控制电路技术水平对提高感应加热电源的高频化、高效率化和高功率输出能力也起着关键作用。
此处提出一种适合于感应加热电源的以功率MOSFET作为开关元件的T型并联谐振逆变器电路拓扑结构，它能输出理想的正弦电压，开关元件工作在ZVS状态，降低了开关损耗，提高了工作频率和效率。与传统H桥逆变器相比，在相同输入直流电压下输出交流电压为其2倍；在相同负载条件下输出功率为其4倍；所用开关元件数量为其1／2。与单管E类串联谐振逆变器相比，其逆变器的ZVS工作状态不受负载影响，工作状态稳定、易控制，且适合用在不同负载情况下高频感应加热的工业生产中。

2 拓扑结构及工作原理
2．1 逆变器的电路构成
图1示出双开关T型并联谐振逆变器基本电路。Ud为直流输入电压，调节Ud就能改变逆变器输出电压和功率的大小；L为平波电抗，为并联谐振回路提供恒流，同时又起到升压的作用；开关元件VS1，VS2各开通、关断半个周期，轮流工作，与谐振电压uo同步，且在uo正弦波的过零点时刻进行开关；Co，Lo为谐振电容、电感。

为区别于E类逆变器以及用于DC／DC变换器的Boost电路，同时由于在图1中L，VS2，VS1分布呈T型，故称图1所示电路为双开关T型并联谐振逆变器拓扑结构。
2．2 电路工作原理
对图1电路作如下假设：①L足够大，使流过的电流在一个开关周期内基本不变；②电路中的元器件均为理想器件；③VS1，VS2开关时刻有一定的重叠时间；④Co，Lo已处于谐振状态，电路已进入稳态。VS1，VS2的开关频率为Co，Lo的谐振频率，则当uo=0时，VS1，VS2实现ZVS状态。
假设电路已进入稳定工作状态，在t=0的前半个周期内VS1导通，VS2断开，到t=0时刻，L的电流iL达到最大值，电压uL=Ud，其极性为左正右负。t=0时刻，Co两端电压由下正、上负谐振为零，Lo的储能达到最大值，谐振电流io达到最大值且保持连续，方向向下。
工作模式1：t=0时刻，VS1断开，VS2闭合，实现ZVS。在VS2闭合后的半个周期内，L开始释放能量，iL保持连续由最大值按余弦规律逐渐下降且对谐振回路补充能量，因此在VS2闭合期间L的电压极性是左负右正，L起升压的作用，A，C间的电压平均值等于2Ud。
当t在0～t1内，L和Lo同时向Co充电，uo逐渐上升，直到t=t1时刻达到最大值，io下降到零；当t在t1-t2内，Co放电，L和Co同时向Lo补充能量，直到t=t2时刻，uo回到零，Lo上的电流达到反方向最大值。