MOSFET高速驱动设计
引言
本文引用地址://www.cazqn.com/article/128958.htm随着电源高效、高功率密度的要求,电源的频率由原来的工频,到几十千赫兹,再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。电源频率的要求越来越高。如何选择合适的MOSFET,如何有效地驱动高速MOSFET,提升电源效率是广大工程师面临的问题。本文将探讨MOSFET的选型以及高速驱动线路设计的注意事项。
MOSFET结构以及影响驱动的相关参数
图1是MOSFET的电容等效图。MOSFET包含3个等效结电容Cgd,Cgs和Cds。
通常在MOSFET的规格书中我们可以看到以下参数:其中
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cgd+Cds
Crss=Cgd
这些结电容影响着MOSFET开通和关闭的速度。结电容小的MOSFET具有快速的开关速度,可以降低MOSFET开通和关闭时所产生的损耗,同时对驱动线路需求更低。
但是值得注意的是这些电容跟普通的电容并不完全相同,普通电容的容值并不会有太大的改变,而MOSFET等效电容容值会随着MOSFET Vds的变化而变化。图2描述了MOSFET结电容随电压的变化状况。
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