新闻中心

EEPW首页 > 嵌入式系统 > 设计应用 > 基于瑞萨QzROM单片机的EFT抗干扰措施

基于瑞萨QzROM单片机的EFT抗干扰措施

作者:宋秀敏,卜建平 时间:2012-02-09 来源:电子产品世界 收藏

  单片机介绍

本文引用地址://www.cazqn.com/article/128754.htm

  是应用了经过细微化处理的PROM技术的可编程存储器。单片机是指搭载了新型存储器QzROM的瑞萨单片机(图1),广泛应用于照相机、便携式设备、家电及民用设备等。

  EFT概念

  EFT(电快速瞬变脉冲群,如图2)是由电路中的感性负载断开时产生。特点是一连串的脉冲,对电路的影响比较大,可造成(单片机)程序跑飞、死机、复位等情况。由于一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累积效应,使干扰电平的幅度最终超过电路噪声门限。

  当脉冲串的每个脉冲相距很近时,电路的电容没有足够时间放电,就又开始新的充电,容易达到较高的电平。所以脉冲串的周期越短对电路影响越大。

  EFT抗干扰措施,主要介绍三类方法:

  1.优化PCB(印制电路板)布线

  •在元件布局方面,需优先放置(单片机)、时钟、复位电路;将元器件划分不同的功能模块,合理摆放各模块位置,调整元器件角度,缩短总布线长度。

  •在布线宽度、布线间隙方面,尽量用更粗的布线宽度和布线间隙,减少在干扰下导线上的电压对信号的影响,同时减少各个布线间的干扰。

  •在地线、电源线布置方面:尽量将、时钟、复位电路的地线、电源线与其他功能分离开来,低频时注意覆铜的放置,应尽量缩短布线长度。

存储器相关文章:存储器原理




关键词: QzROM MCU

评论


相关推荐

技术专区

关闭